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IXYS模(mo)塊/可控硅模(mo)塊

總部設在加利福尼亞州米(mi)爾皮塔(ta)斯和(he)瑞(rui)士Biel的IXYS公司,有(you)IXYS“30年的歷史,它的創(chuang)立者是Nathan Zommer博(bo)士,作為(wei)一個*要的功率半導體制(zhi)造(zao)商(shang)已經獲得了(le)**性的(de)聲譽。SIEGLING輸送機皮帶

IXYS專門(men)生產功率半導體器件,集成電路和射頻功率多(duo)元化的產品,有2500多(duo)客戶利用在**各地(di),包括在工業,交通,通信,計算機(ji),醫療,消(xiao)費品和清潔技術市場。
IXYS公司主要產品:
IXYS電源設備
離(li)散 Mosfet
N 通道: 標(biao)準功率 Mosfet
N-通道: 功率(lv) Mosfet 快本(ben)征(zheng)二*管 (HiPerFET ™)
N 通道: 消耗模式 Mosfet
N 通道: 線性功率 Mosfet 與擴展 FBSOAs
N 通(tong)道: 溝門功率(lv) Mosfet
N 通道(dao): 超級交界(jie)處 COOLMOS ™ 功(gong)率 Mosfet
P-通道: 標準功率 Mosfet
 
IXYS   MOSFET 模塊
X 級(ji)功率(lv) MOSFET、H 橋 MOSFET 模(mo)塊(kuai)、階段腿 MOSFET 模(mo)塊(kuai)、溝門 MOSFET 模(mo)塊(kuai)
升壓和降壓配(pei)置、雙開關常(chang)見源 MOSFET 模塊、單開關 MOSFET 模塊、ISOPLUS DIL ™ 溝槽 MOSFET 模塊(kuai)
分立器件
XPT ™ Igbt、PT Igbt、NPT 分立器(qi)件、額定 PT Igbt 短路(lu)、很高的電壓 NPT igbt 器(qi)件、BiMOSFETs/反向(xiang)進行 Igbt、反向(xiang)阻斷 Igbt、記者包 Igbt、XPT 離散在 SMPD 包中
IGBT 模塊
XPT IGBT 模塊
轉換器(qi)/剎車/Inv (CBI) IGBT 模(mo)塊、全(quan)橋 IGBT 模(mo)塊
IGBT 模塊(kuai)在 ISOPLUS i4-PAC ™、階段腿 IGBT 模塊(kuai)
升壓和降壓斬波器的(de) IGBT 模塊、IGBT 模塊在(zai) SMPD 包中(zhong)
IGBT 交流開關
快(kuai)恢復二*管(guan)-分(fen)立器件 & 模塊、HiPerDYN ™ 弗(fu)雷德(de)超(chao)快(kuai)速二*管(guan)
聲(sheng)波 FRD ™ 快(kuai)(kuai)恢復二(er)*管、(弗雷德) 快(kuai)(kuai)恢復二(er)*管
弗雷德 & HiPerFRED ™ 模(mo)塊、額(e)外快恢復二*管
軟(ruan)恢復二*管、高功率聲(sheng)波 FRD ™
SemiFast 二*管
快(kuai)恢復二*管-螺柱類型
快恢復二*管-膠(jiao)囊類型
肖特基二*管
硅肖特基二*管
碳化硅肖特(te)基二(er)*管(guan)
整流二*管,橋梁,PFC、
1 ~ 整流橋
1 ~ / 3 ~ 半 & 全控橋(qiao)
3 ~ 整(zheng)流橋
3 ~ 橋梁與(yu) IGBT 和二(er)*管的制(zhi)動單元
3 ~ 快速二*管 & 集(ji)成軟(ruan)起(qi)動(dong)晶(jing)閘管橋(qiao)
1 & 3 階段高(gao)電壓整流模塊(kuai)
1 ~ PFC 模塊 (1 ~ 橋(qiao) + MOSFET 升壓)
3 ~ PFC 模塊
IXYS二*管橋
晶閘管分立器(qi)件(jian)、相位控制晶閘管、快速開關晶閘管(guan)、中等電壓晶閘管(guan)
門(men)關斷晶(jing)閘(zha)(zha)(zha)管、非對稱晶(jing)閘(zha)(zha)(zha)管、分布式的(de)閘(zha)(zha)(zha)門(men)晶(jing)閘(zha)(zha)(zha)管
脈沖(chong)晶閘(zha)管、MOS 門(men)控(kong)晶閘(zha)管、二(er)*管 & 晶閘(zha)管模塊
單個 & 雙(shuang)二(er)*管模塊、可控(kong)硅(gui)/二(er)*管模塊、單個 & 雙(shuang)可控(kong)硅(gui)模塊
IXYS水冷模塊
交流開關、DCB 基板(ban)和模具(ju)、直接銅保稅氧(yang)化鋁基板(ban)、XPT IGBT 模具(ju)
IXYS高壓電流調節器
非(fei)可(ke)切(qie)換(huan)電流(liu)調(diao)節器(qi)、可(ke)切(qie)換(huan)電流(liu)調(diao)節器(qi)、閘門控制電流(liu)調(diao)節器(qi)
開關
IXYS交流開關、SMPD、SMPD 二*管、SMPD Igbt、SMPD Mosfet、SMPD BiMOSFET
保護裝置
導通二*管(guan) (BOD)Diristors
碳化硅 (SiC) 產品
功率(lv) Mosfet整流橋IGBT
 
IXYS集成電路
LED & 液(ye)晶(jing)屏(ping)驅動程(cheng)序
背光 LED 驅動程序(xu)
Flash LED 的驅動程序
離線高亮度 LED 的驅動(dong)程(cheng)序(xu)
LED 控制器
光電隔離的固態繼電器
固態繼電器 MOSFET 型)
功率繼電器
交流開關 (可控硅型)
IXYS光電耦合器和放大器
光電耦合器
光電隔離的誤差放大器
線性光電耦合器
電(dian)信 Ic
線卡接入交換機
其他電信 Ic
Cybergate 數(shu)據(ju)訪(fang)問安排 (DAA)
IXYS音信(xin)號產品(pin)
LITELINK ™ 硅 DAA、控制器/調節/傳感器、高邊電流監測器
IXDP610 數字脈寬調制控制器、數字的死區時間發生器
µPower 霍爾效應開關
12 位、 多通道功率 & 溫度傳感器
高速度水平移相器
門驅動程序、半橋(qiao) & 3 相門驅動程序
MOSFET/IGBT 柵*驅動程序(xu)、全橋(qiao)門(men)驅動程序(xu)
IXYS多功能產品
IXYS高速數字光隔離器
電源(yuan)管理 Ic、高電壓模擬開關
IXYS線性穩壓器
升壓 DC/DC 變流器控制器
電(dian)壓(ya)檢測器、帶(dai)內置電(dian)感降壓(ya)和升(sheng)壓(ya)轉換器
地面故障(zhang)中斷、ZGFI
射頻、RFID 芯片、定制的設計服(fu)務RFID 配件
 
 
IXYS微控制器
Z8 安(an)可 !、eZ80、ZNEO、Z8051、S3 家庭
檢測 & 控制、沒有(you)被運動、電機控制、MC flash
射頻功率
射頻放大器、MMIC 放大(da)器、WiMAX 放大(da)器
無線(xian)擴音機、HBT 放(fang)大(da)器(qi)、WiMax Gan 基(ji)射頻功率(lv)放(fang)大(da)器(qi)
RF Mosfet、GaAs 場效應(ying)晶體管/pHEMTs/HFETs
切換模式 Mosfet、高頻 / 甚高頻線性 Mosfet
混合(he)動力模塊
標準增益課程模塊(kuai)(kuai)、標準電壓調節模塊(kuai)(kuai)
標準溫度補償模塊、射(she)頻驅動(dong)程序
MOSFET 驅動(dong)(dong) Ic、激光二*管驅動(dong)(dong) Ic、GUNN二*管
 
IXYS系統
激光二(er)*管驅(qu)動程序(xu)、臺式(shi)激光二(er)*管驅(qu)動程序(xu)
激(ji)(ji)光(guang)二*管(guan)驅動配(pei)件、激(ji)(ji)光(guang)二*管(guan)驅動模塊
IXYS電機控制(zhi)
單相電機效率控制器、脈(mo)沖的功率
脈(mo)沖發生器配件套件
延遲 & 信號發生器、高壓脈沖發生器
 
IXYS綠色能源
太陽能產品
IXOLAR ™ **率 SolarBIT & SolarMD
其他太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)池 — —"芯片上的太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)池板"、太(tai)陽能(neng)(neng)手持(chi)產品
風(feng)電產品、Wespack、 Igbt
部分型號(hao):
IXYS-0011 模塊 MCC95—16I01B  
       
IXYS-0017   CS23-16IO2 可控硅模塊
 


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